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SRAM和DRAM的結(jié)構(gòu)原理是什么?
按照存儲信息的不同,隨機存儲器分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。靜態(tài)存儲單元(SRAM) ●存儲原理:由觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)●單元結(jié)構(gòu):六管NMOS或OS構(gòu)成●優(yōu)點:速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低;常用作Cache●缺點:元件數(shù)多、集成度低、運行功耗大●常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位),6264(8K×8位),62256(32K×8位),2114(1K×4位)動態(tài)存儲單元(DRAM) ●存貯原理:利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理,需刷新(早期:三管基本單元;現(xiàn)在:單管基本單元)

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●刷新(再生):為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失,必須定時給柵極電容補充電荷的操作●刷新時間:定期進行刷新操作的時間。該時間必須小于柵極電容自然保持信息的時間(小于2ms)?!駜?yōu)點: 集成度遠高于SRAM、功耗低,價格也低●缺點:因需刷新而使外圍電路復雜;刷新也使存取速度較DRAM慢,所以在計算機中,SRAM常用于作主存儲器。盡管如此,由于DRAM[1]存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單,所用元件少,集成度高,功耗低,所以目前已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。
Srm是什么存儲器?
靜態(tài)隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。
相對之下,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而,當電力供應(yīng)停止時,SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失(被稱為volatile memory),這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
sram充放電機理?
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。
主要規(guī)格
一種是置于CPU與主存間的高速緩存,它有兩種規(guī)格:一種是固定在主板上的高速緩存(Cache Memory );另一種是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)擴充用的高速緩存,另外在CMOS芯片1468l8的電路里,它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM,存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送,自80486CPU起,在CPU的內(nèi)部也設(shè)計有高速緩存,故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache(一級高速緩存)和L2Cache(二級高速緩存)的名詞,一般L1 Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部,L2 Cache是設(shè)計在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設(shè)計在CPU的內(nèi)部,故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快,不需要刷新的操作,但是也有另外的缺點,就是價格高,體積大,所以在主板上還不能作為用量較大的主存。
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當前文章:sram是靠什么存儲信息的
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